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10年内闪存进展 到尽头 3D内存接班

作者:admin 来源:admin 日期:2018-11-26 18:14 人气:
导读:
由于闪存具有局限性,它的发展未来将走到尽头,SanDisk希望3D读写内存能够成为替代产品,这种技术是由SanDisk2005年收

3D内存技术将成为闪存的接班人, 3D内存芯片将内存阵列从横向排列改为纵向排列,他们在3D内存开拓 方面取得了不小的进步,皇冠娱乐平台提现,目前,皇冠app体育 ,这种技术是由SanDisk2005年收购的Matrix半导体公司开拓 ,由于闪存具有局限性,

SanDisk上周表示,SanDisk希望3D读写内存能够成为替代产品,自从收购了Matrix后,

SanDisk主席兼首席执行官Eli Harari说,

SanDisk已经取得了200多项专利,大家认为这种产品在未来10年将代替NAND闪存,从而能够垂直存储更多数据,未来10年闪存将进展 到尽头,皇冠bet体育, 不过SanDisk发言人Michael Wong 说,SanDisk认为, SanDisk总裁兼首席运营官Sanjay Mehrotra上周表示:“SanDisk正在开拓 3D读写内存,环绕这种技术, ,它的进展 未来将走到尽头,” SanDisk已经宣布和东芝合作开拓 3D内存,,

3D内存取代闪存还有很长一段路要走,

标签: 东芝 3D内存 闪存 SanDisk 存储