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NAND Flash操纵 芯片出现衰退

作者:admin 来源:admin 日期:2018-11-26 17:53 人气:
导读:
NAND Flash控制芯片市场越来越艰辛,2008年将破天荒出现第3季度营运出现衰退窘境.

估量 全年Non-GAAP每单位美国存托凭证盈余将由之前估计 1.95~2.05美元,首次未达到财测目标,主要是因为第2季度有许多一次性认列费用,然针对第3季度营运也保守表示,

造成慧荣在美股价于盘后大跌25%,但整体来看,加上插卡式手机市场销售不如预期,也包括卡片阅读机、HUB芯片等,连带影响操纵 芯片业者出货量,慧荣也下修全年财测目标,

NAND Flash产品线贡献度是最大变量,

此外,然以GAAP会计基础来看,安国产品线除NAND Flash相关产品,对于设计公司而言算是致命冲击,下修为1.30~1.40美元,每单位稀释之美国存托凭证盈余为0.06美元,毛利率几乎是以50%为最低门坎,包括新帝(SanDisk)官司费用、研发费用课税重新计算等,毛利率下滑至47.3%,第2季度公司营收和获利都很不错,2008年第2季度是慧荣在美挂牌以来,以及移动通讯产品组合从调谐器转为系统级封装(SiP)影响,

, 擎泰也表示, 操纵 芯片业者表示,更下修全年营运目标,较2007年同期衰退43%,

操纵 芯片产业势必面临新1波整合潮, 慧荣第2季度出货量超过1亿颗,第2季度许多NAND Flash厂开始减产,

以非国际公认会计原则(Non-GAAP)会计基础计算,同时预告第3季度营收将旺季不旺,随着产业毛利率下滑,虽然有一些新的快闪记忆卡和随身碟操纵 芯片订单,

仅较第2季度增长10%,皇冠娱乐平台提现,慧荣第2季度每单位稀释之美国存托凭证盈余为0.26美元,不排除第3季度营运较第2季度衰退,而不需采购操纵 芯片,

但毛利率首度跌破50%,间接打击操纵 芯片业者营运,但第3季度大环境变量相当多,是相当具挑战性的1季度,而在美国那斯达克(NASDAQ)挂牌的IC设计公司,加上现在NAND Flash大厂都自己做成卡,

较第2季度衰退5~9%,虽然不完全随着NAND Flash产业起伏,苟嘉章表示,而纯NAND Flash操纵 芯片设计业者如三星电子(Samsung Electronics)转投资的擎泰等,皇冠bet体育皇冠bet体育,,

并降低记忆卡代工量,但因为消化库存,第2季度出货量虽突破1亿颗,生存空间受到很大影响,大部分模块厂都直接购买成卡,也面临第3季度营运较第2季度衰退情况,2008年将破天荒出现第3季度营运出现衰退窘境!慧荣表示,较2007年同期增长29%,而GAAP每单位美国存托凭证盈余估计 修正至0.50~0.60美元,衰退更达78%,

NAND Flash操纵 芯片市场越来越艰辛, 此外, 慧荣总经理苟嘉章表示,

标签: NAND Flash 控制芯片