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台积电计划为45/40nm工艺再投资近7亿美元

作者:admin 来源:admin 日期:2018-11-26 17:08 人气:
导读:
经董事会批准,台积电计划为其12英寸(300毫米)晶圆厂的45nm和40nm工艺生产线再投入6.876亿美元。

用于升级其8英寸(200毫米)晶圆厂的设备,

将一部分0.18微米生产线拿来制造0.11微米CMOS图像传感器、0.11微米逻辑电路、0.13微米高压电路,皇冠bet体育皇冠bet体育,台积电的40nm生产线将在明年初投入使用,

用于制造微型机电系统, 部分0.35微米生产线也会得到改造,主要是在新工厂Fab 14里实现,台积电计划为其12英寸(300毫米)晶圆厂的45nm和40nm工艺生产线再投入6.876亿美元, 根据此前消息,皇冠娱乐平台提现,并具备0.18微米射频工艺能力,

另外台积电还会投入1.074亿美元,经董事会批准, ,,

标签: Fab 代工 台积电 晶圆 传感器 CMOS